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第286节(2 / 2)

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第一点,能使用专业的曝光机器、刻蚀设备代替;

第二点、需要一位纳米材料学高手,熟知高介电常数材料的特性,并可以完美掌握合成和应用这些材料的技术;

第三点、他决定从鳍状场效应晶体管结构入手,去提升电流控制能力、降低漏电流、加快开关速度,增强芯片的集成度和性能;

第四点、山海微电原本就拥有成熟的三维封装技术(3dc)!

所以,只要能打破材料和晶体管结构的技术壁垒,就能在短时间内,进一步改进芯片工艺。

事实证明,他赌对了!

16纳米的工艺制程,沿着正确道路,被其轻松捣腾了出来,当年他在mvd都没有取得过如此惊人的科研成果。

当然,这一切离不开谢盛东的帮助,是他大胆采用硅酸盐作为绝缘层材料、多晶硅作为电极材料,大大提高了电子迁移率。

配合三维晶体管结构设计,为芯片尺寸的缩小提供了可能性。

“那你为啥绷着一张脸,升职加薪还不值得庆祝吗?”

谢盛东疑惑道。

“因为……算啦,你不懂。”

吴茂哲欲言又止,对方并不知道,他之所以能进研发中心,全靠大老板的关系。

“要是你能研发出10纳米的芯片工艺,我就把逸彬电子买下来送给你。”

陈河宇这句话,深深烙在他的心底。

想到这里,吴茂哲摇了摇头,随手打开羲和ed,继续研究起晶体管的结构方案。

他认为,鳍状场效应(fnfet)晶体管结构可以实现更好的电子控制和更小的漏电流,和传统的平面晶体管结构有极大不同,若是再进一步,或许就能把工艺制程缩小到14纳米,亦或是10纳米。

谢盛东见状,微微一笑,同样开始专心工作。

……

“老板,负责研发的核心人员都在会议室。”

何婷波见老板下车,笑吟吟走上前来,低声汇报道。

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